ICeGaN HEMT與IGBT的并聯組合實現了高效率與低成本的雙重優勢無晶圓廠環保科技半導體公司Cambridge GaN Devices (CGD)專注于開發高能效氮化鎵（GaN）功率器件，致力于簡化綠色電子產品的設計和實施。近日，CGD進一步公佈了關于ICeGaN? GaN 技術解決方案的詳情，該方案將助力公司進軍功率超過100kW的電動汽車動力總成應用市場，這一市場規模預計超過100億美元。ComboICeGaN?通過將智慧ICeGaN HEMT IC與IGBT（絕緣柵雙極晶體管）集成在同一模組或智慧功率模組（IPM）中，不僅實現了高效率，還提供一種更具有成本效益的替代方案，以取代昂貴的碳化硅（SiC）解決方案。

GIORGIA LONGOBARDI博士 |CGD創辦人兼首席執行長

“目前，電動汽車動力總成的逆變器主要面臨兩種選擇：一種是採用低成本的IGBT，但在輕負載條件下效率較低; 另一種是使用效率極高但價格昂貴的碳化硅（SiC）器件。 我們全新的Combo ICeGaN解決方案通過智慧結合氮化鎵（GaN）和硅技術的優勢，為電動汽車行業帶來革命性突破，在顯著降低成本的同時實現最高效率。

這將實現更快的充電速度和更長的續航里程。 我們已與多家頂級電動汽車制造商及其供應鏈合作伙伴緊密合作，加速將這一技術創新推向市場。 ”

獨特的Combo ICeGaN技術解決方案充分利用了ICeGaN與IGBT器件在驅動電壓范圍（如 0-20V）和柵極耐受性方面的相似性，使兩者能夠在并聯架構中高效協同工作。在實際運行中，ICeGaN開關在較低電流（輕負載）下表現出較高的效率，具備低導通損耗和低開關損耗; 而IGBT則在較高電流（接近滿載或浪涌條件）時發揮主導作用。Combo ICeGaN還結合了IGBT的高飽和電流和雪崩鉗位能力，以及ICeGaN 的高效開關特性，進一步提升了整體性能。 

在高溫環境下，IGBT的雙極特性使其能在較低的導通電壓下導通，從而有效彌補 ICeGaN 的電流損失; 相反，在低溫條件下，ICeGaN將承擔更多的電流。這一方案通過智慧化的感測和保護功能，優化了Combo ICeGaN的驅動方式，同時擴展了ICeGaN與IGBT設備的安全工作區域（SOA），確保系統的穩定性和可靠性。

ICeGaN 技術使電動汽車工程師能夠在DC-DC轉換器、車載充電器（OBC）以及未來的牽引逆變器中充分利用GaN技術的優勢。Combo ICeGaN進一步拓展了CGGaN技術應用范圍，進入功率超過 100kW的牽引逆變器市場。ICeGaN IC已被驗證具備極高的可靠性，而IGBT在牽引系統和電動汽車應用中也有著長期且可靠的應用記錄。此外，CGD還成功驗證了ICeGaN與SiC MOSFET并聯組合方案的可行性。在IEDM論文中詳細介紹的ComboICeGaN方案無疑是更具成本效益的選擇。

 CGD預計將在今年年底推出可運行的Combo ICeGaN演示版本，為電動汽車動力系統提供更高效、更經濟的解決方案。

FLORIN UDREA教授 |CGD創始人兼首席技術長“在功率器件領域工作了三十年，這是我第一次遇到如此完美互補的技術組合。ICeGaN在輕負載條件下表現出極高的速度和卓越的性能，而IGBT在滿載、浪涌條件以及高溫環境下展現出顯著優勢。ICeGaN提供了高度集成的片上智慧功能，而IGBT則具備雪崩能力為系統保駕護航。兩者均採用硅基底，這不僅顯著降低了成本，還充分利用了基礎設施和制造工藝優勢。 ”

CGD將參展APEC（應用電力電子會議與博覽會）。如需瞭解更多關于Combo ICeGaN的詳細資訊，歡迎于2025年3月16-20日蒞臨喬治亞世界會議中心（亞特蘭大喬治亞州）2039展位。