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不可磨滅的CMOS技術

發布者:cangart最新更新時間:2008-09-09 來源: 電子工程世界關鍵字:CMOS  工藝 手機看文章 掃描二維碼
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   如果說集成電路的發展是人類歷史上的一朵奇葩,那么CMOS技術就是一直滋養這支花朵成長的養料。在集成電路走過的精彩輝煌的50年里,CMOS技術為低功耗集成電路打下了基礎,并成為當今主流集成電路的關鍵生產技術。可以說,如果沒有CMOS工藝,就沒有今天的IC制造業,我們也享受不到PC帶來的種種便利和樂趣。從某種意義上來說,集成電路發展史是CMOS工藝不斷向前推進的歷史。

  說起CMOS技術的發明應用,還要從基本的硅平面技術說起。硅平面工藝不僅可以在同一硅片上制作出許多BJT 以及電路元件、互連等,還可以制作出器件之間的p-n 結隔離,因此首先發明的是BJT IC。不過在這種IC 中,“隔離墻”占用的面積過大,再加上BJT 是電流控制型器件,功耗比較大,所以限制了集成規模的提高。如果能有一種可以實現自隔離的器件,如果再是電壓控制型,那將是構成IC 的理想器件。這種器件早在1930 年J.Lilienfeld 的美國專利和1935 年O.Heil 的英國專利中已經提出構想,即IGFET(絕緣柵場效應晶體管——Insulator Gate Field Effect Transistor)的器件結構。很可惜,限于當時的工藝水平,這種器件未能實現。

  到1960 年代初,利用Si 平面工藝做出了MOSFET(金屬—氧化物—半導體場效應晶體管——Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor),這是以SiO2 作為絕緣柵的IGFET。首先做出的MOSFET 是負極性p 溝道器件,制作正極性的n 溝道器件遇到一些困難。A.S.Grove,B.E.Deal,E.H.Snow 和C.T.Sah 等幾位物理學家對Si-SiO2 界面做了透徹的研究,解決了界面態和Na+離子的影響問題,把MOSFET,包括n-MOS、p-MOS的器件水平提高一大步。在這幾位科學家中,Grove 后來創建了Intel,成了杰出的管理學家,Deal 做出過第一個Si 晶體管,C.T.Sah 在1963 年與F.M.Wanlass 一起提出了CMOS結構及技術,成為30 年來制作IC 的絕對主流工藝,占到90%以上。

  CMOS(互補MOS—Complementary MOS)是把n-MOS 和p-MOS 連接成互補結構,兩種極性的MOSFET 一關一開,幾乎沒有靜態電流,很適于作為邏輯電路,因此CMOS IC 首先用于實現布爾功能的數字電路。Moore 定律說的是IC 集成度三年四翻,也就是芯片上的晶體管數目以累進年均增長率CAGR=1.58 增長,(1.58)3≈4,即指數增長。指數增長不容易持久的原因是在后期增長的絕對值太大。一張0.1mm 厚的紙,折一折變為0.2mm,折到20 折的厚度是100 米。Moore定律之所以著名,就是因為它這個指數增長持續幾十年。Moore 定律之所以能持續就是因為CMOS 有許許多多的工藝發明和技術進步,使得晶體管的尺寸由10μm 縮小至0.1μm,提高了晶體管的面密度;使得芯片面積從幾個mm2 增加到幾百mm2。正是由于工藝精度的提和勻場面積的擴大,才使得Moore 定律得以保持。

  CMOS 工藝的發明和進步主要包括:用離子注入代替高溫擴散摻雜,用CVD(化學氣相沉積—Chemical Vapour Deposition)生長SiO2、Si3N4、多晶硅等薄膜,用RIE(反應離子刻蝕—Reactive Ion Etching)代替濕法刻蝕,用poly-Si(多晶硅)作為柵極代替鋁柵,用Stepper(步進光刻曝光機)代替精縮版曝光機,用銅互連代替鋁互連,等等。CMOS 的技術進步是驚人的,但每一項工藝發明或者改進,哪怕是很小的改進,都不容易,可以說“工藝無小事”。以銅互連工藝為例。作為電學互連的材料,銅優于鋁,這是盡人皆知的常識,但是真正用到IC 互連上,卻花費了十幾年的工夫。1982年,Intel推出80286處理器,首次將CMOS工藝用于CPU制作。距離CMOS思想的提出,差不多已經過去了20年時間。1985 年IBM開始在RISC大型機中采用CMOS 芯片,直到1998年,還是與諾發公司(Novellus System)合作,才完成銅互連在IC 中的應用,其中的艱難可想而知。IBM 開發銅互連工藝是一項很有遠見的決策,已經成為0.13μm 以下互連工藝的唯一選擇。說到CMOS 的工藝進步,一定不要忘記工藝設備制造廠家和材料廠家的功勞。他們匯集了物理學、化學、材料學、控制學以及制造技術等諸多方面的頂級成果,真可謂無所不用其極,為CMOS 的工藝進步建立了非常好的支撐環境。

  集成電路發展至今,也有人對CMOS工藝的今后發展產生置疑,一些人認為CMO工藝大概到22nm是個坎。但是,占據IC領域90%以上的絕對主流地位目前還沒有改變,即使是某一天它將被跟先進的工藝所取代,它在集成電路史上創造的光輝也不會被磨滅。

關鍵字:CMOS  工藝 引用地址:不可磨滅的CMOS技術

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