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如何使用Silego GreenPAK構建溫度傳感系統

來源:互聯網發布者:ohahaha 關鍵詞: 溫度傳感器 溫度傳感系統 greenpak 更新時間: 2024/06/24

在這個項目中,我們將測試如何使用 Silego GreenPAK 構建溫度傳感系統。

本實驗的目的是測試 GreenPAK 器件在溫度傳感應用中的可用性,特別是對于溫度域為 25°C 至 100°C 的 CPU 處理器。溫度傳感系統使用遠程溫度傳感器 2N3904(二極管連接)和在 GreenPAK 器件中實現的控制邏輯。目標是使用 SLG46537 芯片實現 +/- 1°C 的內部溫度精度。

實現雙電流法的溫度傳感器應用電路

圖 1.實現雙電流法的溫度傳感器應用電路

理論

兩流法

雙電流法是一種使用兩個電流源、一個二極管、電容器和 FET 開關的電壓減法方法(參見圖 1)。它旨在放大由兩個不同電流 I_L 和 I_H 引起的二極管上的電壓差。

二極管的正向電壓根據二極管兩端的電流感應電場而變化。通過在兩個已知電流下減去正向電壓,我們可以消除常見變量,例如偏移和飽和電流。二極管的正向偏置電流ID與飽和電流 Is和正向電壓 VD相關,公式如下:

ID= IseVD/ηVT

其中η是二極管的理想因子,VT= kT/q。k是玻爾茲曼常數,q是電子電荷常數。對于此示例,I_H 將是偏置電流 I1,而 I_L 將是偏置電流 I2。因此,它們的正向偏置電流方程分別為:

I1= IseV1/ηVT

I2= IseV2/ηVT

通過劃分兩個正向偏置電流方程,我們消除了飽和電流并將輸入電流變量減少到一個標量因子N。

I1?I2= N = e(V1-V2)/ηVT

如果 N 已知,則通過測量 V1 和 V2 之間的差異,我們可以計算溫度T。

ln(N) = (V1-V2)q/(ηkT)

T = (V1-V2)q/(ηkln(N))

理想因子η

雖然k和q是常數并且不會因部件而異,但理想因子η確實在值 1 和 2 之間變化。該值越接近 1,載流子擴散的主導地位就越大。該值越接近 2,重組越多。該值越高,溫度測量的錯誤越多,因為溫度會高度影響復合而不是擴散。[1]

在選擇遠程溫度二極管時,遠程二極管連接的晶體管(基極-集電極結被短路的 BJT)比整流二極管更好,因為它們的理想值是指定的。幾乎所有 BJT 晶體管的理想因子都接近 1。

其他重要參數包括正向電流增益β和串聯電阻Rs。正向電流增益隨溫度和集電極電流而變化,串聯電阻在所有溫度下呈現恒定偏移。建議選擇β在兩個電流 I_H 和 I_L 之間變化的器件。

實驗電路

實驗的目的是通過測試幾個點來測量一般的溫度偏差:40°C、60°C 和 80°C。

圖 2 顯示了實驗中使用的應用電路的框圖。


溫度檢測應用電路的 GPAK 框圖

圖 2.溫度檢測應用電路的 GPAK 框圖

電阻器 R3 和 R4 提供圖 1 中的電流 I_H 和 I_L。開關 NMOS 和 PMOS 位于 GreenPAK 內部(PIN 13 和 PIN 15)。內部 GreenPAK 設計如圖 3 所示,該傳感器的更新時間為 10ms。

pYYBAGJ6GHGAC5sIAABqbXUV-B4685.jpg

圖 3.內部 GPAK 設計

當 NMOS 拉低且 PMOS 懸空時,電容 C4 由 I_L 充電。當 PMOS 拉高且 NMOS 懸空時,C4 以 I_H 充電。系統的控制邏輯經過編程以提供死區時間(在 NMOS 和 PMOS 導通時間之間),以獲得 C4 上的電壓差。

這種差異進入運算放大器(Silego 的SLG88103)的 IN+ 輸入。C4 兩端的電壓波形如圖 4 所示。

C4 兩端的電壓波形

圖 4.C4 兩端的電壓波形

GPAK 器件的引腳 7 連接到具有可變電阻的分壓器(微調電位器),用于調整內部 GPAK 設計中模擬比較器 ACMP0 的開關電壓。開關電壓是 PIN 7 上的電壓達到 PIN 6 上的電壓(運算放大器輸出電壓)的時刻。運算放大器的輸出電壓(以及因此 ACMP0 的開關電壓)在不同的溫度下是不同的。

因此,在實驗中,調整 P1 的電阻,直到發生切換時刻。根據測量的電位器 P1 的電阻,可以計算出 ACMP0 的開關電壓 (Vref)。

結果

GPAK 引起的誤差(溫度測量精度)是通過測試多個設備(三個 GPAK 設備)的輸出來測量的。僅具有一種不同組件(GPAK5 器件)的三個傳感器電路的測試結果記錄在表 1、2 和 3 中,其中:

烤箱內的溫度是用熱電偶測量的。

P1 的電阻是用 Fluke 萬用表測量的。

Vref 值是根據 P1 的電阻值計算得出的。

表 1. GPAK5_1

表 2. GPAK5_2

表 3. GPAK5_3

用圖 2 中的圖表進一步總結了結果。

圖 2.基于使用不同 GPAK 設備的三個傳感器的測量結果的圖表

圖 2 顯示傳感器 2 和 3 給出了重疊的線性圖,而傳感器 1 給出了非常接近傳感器 1 呈現的線性趨勢線的線。

傳感器 2 和 3 的曲線斜率以及傳感器 1 的趨勢線為 1.7mV/1°C(在 T=40°C 和 T=80°C 之間)。三個 GPAK 器件的測量值之間的最大差異為 2mV。這意味著 GPAK 引入了大約 1°C 的部件間誤差。

錯誤源

模擬比較器

GreenPAK 設計表明,部件間的差異最有可能發生在模擬比較器組件 (ACMP0) 上。此應用程序設計中的ACMP0 設置如下:

IN+ 源:pin6

IN-:分機。參考電壓 (pin7)

IN+增益=1

滯后:禁用。

ACMP 的失調電壓(以及開關電壓)隨溫度和電源電壓而變化。實驗的結論是基于對三個 GPAK 樣本的測量——對于統計分析來說太少了。

作為典型表示,我們可以使用 Silego 的 ACMP Offset Voltage char 數據,該數據基于一組 35 個在溫度和電壓下測試的組件。在室溫下測量的 Ext.Vref=600mV 和 5V 電源電壓的組件 ACMP 偏移結果如表 4 所示。

表 4

表 4.Ext.Vref=600mV_AutoPWR、35 個組件、室溫的 ACMP 偏移測試

Silego 的 Voffset 計算基于以下等式:

V偏移= 最大值 (|Vref,Ext-Vih| , |Vref,Ext-Vil|)

數據精度 +/- 0.2mV

基于 35 個組件的測試結果表明,ACMP 偏移可高達 4.366 mV,這可能會引入高達 2.5°C 的誤差。

2N3904 組件

影響溫度測量精度(遠程精度)的晶體管參數是正向電流增益β(I) 和串聯電阻Rs。根據 2N3904 的 Microchip 實驗室數據,這些參數對整個傳感器源電流范圍 (4.5-920uA) 內的溫度測量精度影響很小。[1]

圖 3 顯示了 Microchip 測試的晶體管的典型 β 值,可以作為有限數量的 2N3904 晶體管的典型表示。[1]公式 3 給出了溫度誤差,這是由于 80 °C 時 0.02°C 左右的所示 β 變化。類似地,使用 Microchip 的 2N3904 組(約 0.7 歐姆)的Rs數據和公式 4 會產生溫度誤差,因為 Rs 約為 0.8°C。[1]

圖 3.23°C 時 2N3904 晶體管的典型 beta 值(Microchip 實驗室數據)

運算放大器的考慮

SLG88103 電壓偏移通常為 0.35mV(對于接近 VSS(接地)的 VCM,最高為 2.4mV),再加上通常為 0.16mV (T=80°C) 以增加偏移隨溫度的漂移。典型值會引入來自此應用的運算放大器的小誤差。然而,考慮到最大偏移值,SLG88103 運算放大器可能會引入超過 1°C 的誤差。

結論

實驗中使用的溫度傳感系統的輸出增益為 1.7 (mV/°C)。

基于三個 GreenPAK 器件樣本的測試結果表明,僅在溫度傳感系統中實施 GreenPAK 會引入大約 1°C 的誤差。

傳感器的主要特性基于實驗結果,其中溫度域適用于遠程傳感器,而帶有 GreenPAK 的內部溫度系統在實驗期間保持在室溫下。要查看此項目的應用說明和設計文件,請單擊此處。

GreenPAK 主要特點

溫度域 (25°C - 100°C)

準確性

±1°C 遠程溫度精度(2N3904 傳感器的精度)

±1.5°C 內部溫度精度

1.7V-5.5V 電源電壓

10ms 更新時間

1.7 (mV/°C) 輸出增益

29μA 靜態電流

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