這種配置稱為共發(fā)射極配置，因?yàn)檫@里發(fā)射極用作輸入基極信號和輸出負(fù)載的公共負(fù)端子。換句話說，發(fā)射極端子成為輸入級和輸出級的參考端（意味著基極和集電極端共用）。

常見的發(fā)射極放大器是最常用的晶體管配置，如圖所示。3.13 以下 PNP 和 NPN 晶體管。

基本上，這里晶體管基極端子用作輸入，集電極配置為輸出，發(fā)射極與兩者共用（例如，如果晶體管是NPN，則發(fā)射極可以連接到接地線參考），因此它被稱為共發(fā)射極。對于FET，類似電路稱為共源放大器。

常見發(fā)射器特性

就像這里的公共基極配置一樣，兩個(gè)特性范圍對于充分解釋共發(fā)射極設(shè)置的性質(zhì)也變得至關(guān)重要：一個(gè)用于輸入或基極-發(fā)射極電路，另一個(gè)用于輸出或集電極-發(fā)射極電路。

這兩組如圖所示。下文3.14：

發(fā)射極、集電極和基極的電流流向按照標(biāo)準(zhǔn)常規(guī)規(guī)則指示。

盡管配置已更改，但在我們以前的公共基本配置中建立的當(dāng)前流的關(guān)系仍然適用于此處，無需進(jìn)行任何修改。

這可以表示為：I E = I C + IB 和I C =I E。

對于我們目前的共發(fā)射極配置，指示的輸出特性是一組選定輸入電流值（IB）的輸出電流（IC）與輸出電壓（VCE）的圖形表示。

輸入特性可以看作是一組給定輸出電壓值（V CE）

觀察圖的特點(diǎn)。3.14 表示 IB 的值，單位為微安，而不是 IC 的毫安。

我們還發(fā)現(xiàn)，IB的曲線不像在共基極配置中為IE實(shí)現(xiàn)的曲線那樣完全水平，這意味著集電極到發(fā)射極電壓具有影響基極電流值的能力。

共發(fā)射器配置的有效區(qū)域可以理解為右上象限中具有最大線性度的部分，這意味著IB的曲線趨于幾乎筆直且均勻分布的特定區(qū)域。

在圖內(nèi)。3.14a 在VCEsat處的垂直虛線右側(cè)和IB等于零的曲線上可以看到該區(qū)域。VCEsat左側(cè)的區(qū)域稱為飽和區(qū)域。

在共發(fā)射極放大器的有源區(qū)域內(nèi)，集電極-基極結(jié)將反向偏置，而基極-發(fā)射極結(jié)將正向偏置。

如果您還記得這些因素與在公共基礎(chǔ)設(shè)置的活動(dòng)區(qū)域中持續(xù)存在的因素完全相同。共發(fā)射極配置的有源區(qū)域可用于電壓、電流或功率放大。

與共基極配置相比，共發(fā)射極配置的截止區(qū)域似乎沒有很好的表征。注意，在收集器特性圖中。3.14 IC實(shí)際上并不對應(yīng)于零，而IB為零。

對于共基極配置，當(dāng)輸入電流IE恰好接近零時(shí)，集電極電流僅等于反向飽和電流ICO，以便曲線IE= 0和電壓軸為一，適用于所有實(shí)際應(yīng)用。

收集器特性這種變化的原因可以通過對方程的適當(dāng)修改來評估。（3.3） 和 （3.6）。如下所述：

評估上述討論的場景，其中IB = 0 A，并通過替換α的典型值（如0.996），我們能夠獲得如下所示的合集電極電流：

如果我們將ICBO視為1 μA，則IB = 0 A時(shí)產(chǎn)生的集電極電流將為250（1 μA） = 0.25 mA，如圖所示的特性。3.14.

在我們以后的所有討論中，由條件IB = 0 μA建立的集電極電流將具有由以下公式（3.9）確定的符號。

基于上述新建立電流的條件可以在下面的圖3.15中使用上述參考方向可視化。

為了在共發(fā)射極模式下以最小的失真實(shí)現(xiàn)放大，截止時(shí)間由集電極電流IC = ICEO確定。

這意味著應(yīng)避免小于IB = 0 μA的面積，以確保放大器輸出干凈且不失真。

常見發(fā)射極電路的工作原理

如果您希望配置像邏輯開關(guān)一樣工作，例如使用微處理器，配置將顯示幾個(gè)感興趣的操作點(diǎn)：第一個(gè)作為截止點(diǎn)，另一個(gè)作為飽和區(qū)域。

對于指定的VCE電壓，截止時(shí)間可以理想地設(shè)置為IC = 0 mA。

由于對于所有硅BJT來說，ICEO i通常都很小，因此當(dāng)IB = 0 μA或IC = I CEO

如果您還記得在公共基本配置中，輸入特性集大約通過直線等效值建立，導(dǎo)致結(jié)果VBE = 0.7 V，對于大于0 mA的所有IE級別

我們也可以對共發(fā)射器配置應(yīng)用相同的方法，這將產(chǎn)生如圖所示的近似等效值。3.16.

圖3.16 圖3.14 圖所示二極管特性的分段線性等效物《》。《》b.

結(jié)果符合或我們之前的推導(dǎo)，根據(jù)該推導(dǎo)，BJT在有源區(qū)域或ON狀態(tài)下的基極發(fā)射極電壓將為0.7V，無論基極電流如何，這都將是固定的。

求解實(shí)際例 3.2

如何偏置共發(fā)射極放大器

適當(dāng)偏置共發(fā)射極放大器的建立方式可以與為共基網(wǎng)絡(luò)實(shí)現(xiàn)的方式相同。

假設(shè)您有一個(gè)npn晶體管，如圖所示。3.19a，并希望通過它強(qiáng)制執(zhí)行正確的偏置，以便在活動(dòng)區(qū)域建立BJT。

為此，您需要首先指示晶體管符號中的箭頭標(biāo)記所證明的IE方向（見圖3.19b）。在此之后，您需要嚴(yán)格按照基爾霍夫的當(dāng)前定律關(guān)系建立其他當(dāng)前方向：IC +
IB = IE。

隨后，您必須引入具有正確極性的電源線，以補(bǔ)充 IB 和 IC 的方向，如圖所示。3.19c，最后結(jié)束程序。

以類似的方式，pnp BJT也可能在其共發(fā)射極模式下偏置，為此，您只需反轉(zhuǎn)圖的所有極性即可。3.19

典型應(yīng)用：

低頻電壓放大器

下面演示了共發(fā)射極放大器電路使用的標(biāo)準(zhǔn)圖示。

交流耦合電路的功能類似于電平轉(zhuǎn)換器放大器。在這種情況下，基極-發(fā)射極壓降應(yīng)該在0.7伏左右。

輸入電容C去除了輸入的任何直流元件，而電阻R1和R2用于偏置晶體管，使其在整個(gè)輸入范圍內(nèi)處于活動(dòng)狀態(tài)。輸出是輸入交流分量的顛倒復(fù)制，該分量已由RC/RE比率升壓，并通過由所有4個(gè)電阻決定的測量。

由于RC通常非常大，因此該電路的輸出阻抗可能非常大。為了盡量減少這種擔(dān)憂，RC保持盡可能小，放大器配有電壓緩沖器，如發(fā)射極跟隨器。

射頻電路

共發(fā)射極放大器有時(shí)也用于射頻電路，例如放大通過天線的微弱信號。在這種情況下，它通常由負(fù)載電阻代替，負(fù)載電阻包括調(diào)諧電路。

這可以通過將帶寬限制在整個(gè)所需工作頻率內(nèi)結(jié)構(gòu)的某個(gè)薄帶來實(shí)現(xiàn)。

更重要的是，它允許電路在更大的頻率下工作，因?yàn)檎{(diào)諧電路使其能夠諧振任何電極間電容和運(yùn)行電容，這通常會(huì)禁止頻率響應(yīng)。普通發(fā)射器也可廣泛用作低噪聲放大器。