現代電源控制系統利用晶閘管等電子設備進行電源開關、相位控制、斬波器等。這些器件還應用于逆變器設計、燈具亮度控制、電機速度控制等。

三端雙向可控硅是電源控制和開關應用中最常用的半導體器件。電子電源控制電路設計用于控制交流或直流電源的分配或電平。這種功率控制電路可用于手動切換電氣設備的電源，或在溫度或光強度等參數超過預設水平時自動切換電源 三端雙向可控硅或三極管交流電是一種電子設備，相當于兩個硅控整流器以反向并聯方式連接（但極性反轉），其柵極連接在一起。

這導致了“雙向電子開關”，當觸發時可以在任一方向上傳導電流。與SCR一樣，可控硅也是一個三端設備。MT1 和 MT2（主端子 1 和 2）端子用于向任一方向傳遞電流，而第三個端子 G（門）用于向設備發送觸發脈沖。

可控硅可由施加到其柵極的正電壓或負電壓觸發。當MT2端子上的電壓相對于MT2為正并且對柵極施加正電壓時，三端雙向可控硅中的“左SCR”導通。如果電壓反轉并向柵極施加負電壓，則“右 SCR”導通。必須保持最小保持電流“Ih”以保持三端雙向可控硅導通。

交流或直流脈沖可以觸發三端雙向可控硅，并有四種觸發模式：

MT2 的正電壓和柵極的正脈沖

MT2 的正電壓和柵極的負脈沖

MT2 的負電壓和柵極的正電壓

MT2 的負電壓和柵極的負電壓

三端雙向可控硅有一些固有的缺點，這些缺點將反映在它們的工作中?；诳煽毓璧碾娐返木脑O計可以提供更好的工作性能。三端雙向可控硅的重要缺點是速率效應、射頻干擾反沖效應等。

可控硅速率效應

在MT1終端和三端雙向可控硅的柵極之間，存在“內部電容”。如果MT1端子的電壓急劇增加，則會導致足夠的柵極電壓突破以觸發三端雙向可控硅。這種情況稱為“速率效應”，這是一種主要由交流線路中的高瞬變引起的不良影響。當負載由于高“浪涌電壓”而導通時，也會發生速率效應。

速率效應非常嚴重，特別是在驅動電機等感性負載時，因為負載電流和電壓“異相”。R-C緩沖器網絡將最小化速率影響并使開關干凈。R-C緩沖器網絡連接在可控硅的MT2和MT1終端之間，如圖所示。

射頻干擾 （RFI）

不必要的RF產生是三端雙向可控硅開關中遇到的另一個主要問題。每次三端雙向可控硅在其負載上選通時，負載電流都會根據負載電阻和電源電壓從零急劇切換到高值。此開關動作（在幾微秒內）產生RF1脈沖。當三端雙向可控硅在接近 00 和 1800 個零交叉點時觸發時最小，但在 90 0 波形式中最大。這是因為在 00 和 1800 個零交叉點處，“接通電流”最小。

接通電流最大為 900，產生非常高的 RFI。RFI的強度與連接負載和三端雙向可控硅的導線長度成正比。RFI在燈調光器電路中尤其令人討厭，可以使用簡單的L-C-RFI抑制網絡來消除。

反沖效應

當柵極電流由可變電位計控制時，在三端雙向可控硅控制的燈調光器電路中會產生嚴重的“控制遲滯”或“間隙”。當鍋表的電阻增加到最大時，燈的亮度降低到最小。在此之后，燈永遠不會打開，直到電位計的電阻降低到幾歐姆，比如 50 到 70 歐姆。這是由于連接到Diac的電容器放電而發生的。

當三端雙向可控硅點火時，電容器由Diac放電并產生“反沖效應”。通過將 47 至 100 歐姆電阻與 Diac 串聯或在三端雙向可控硅的柵極添加電容器 （C2），可以輕松糾正此問題。該電容器（C2）將減慢間隙效應，可以獲得全匝效應。電容器的連接如圖所示。

普通三端雙向可控硅

（前視圖）

BT 136 600V – 4A MT1 MT2 G

BT 138 600V – 12A MT1 MT2 G

BT 139 600V 16A MT1 MT2 G

BTA 23 800V – 12A MT1 MT2 G

BTA 22 800V – 10A MT1 MT2 G

BTA 40 800V – 40A A1 A2 G

BTA 41 800V – 40A A1 A2 G