中國北京，2025年1月15日 —— 近日，泰克科技與遠山半導體的合作迎來又一重要里程碑，雙方攜手對遠山半導體最新推出的1700V GaN器件進行了深入測試與評估，成果斐然，為該器件在高端應用市場的拓展注入強勁動力。

此前，遠山半導體憑借其在高壓GaN器件領域的持續創新，已成功推出多款產品，并逐步將額定電壓提升至1700V，這一電壓等級的突破，相較于1200V器件實現了顯著性能飛躍。為攻克GaN器件常見的電流崩塌難題，遠山半導體采用了獨具匠心的極化超級結（PSJ）技術，并對生產工藝進行了深度優化，使得器件不僅額定工作電壓大幅提升至1700V，工作電流也達到了30A，為高功率應用場景提供了更為強勁的“芯”動力。

在此次合作測試中，泰克科技憑借其先進的測試設備與專業的技術團隊，對遠山半導體提供的1700V/100mΩ規格GaN樣品進行了全方位、多維度的性能檢測。靜態測試結果顯示，該器件在1700V電壓下反偏漏電流Idss僅為4.48uA（Vgs = -8V），且在10uA漏電流條件下，Vds電壓成功突破1750V，擊穿電壓表現卓越，為器件的高可靠性運行奠定了堅實基礎。

同時，作為常開型器件，其閾值電壓測試精準可靠，當Vds = 10V，Id = 1mA時，實測閾值電壓Vth穩定在-4.1V，確保了器件在不同工作條件下的精準控制。在導通狀態下，測試條件為Vgs = +3V，Id = 20A，電流脈寬300uS時，四線模式下實測導通電阻僅為107mΩ，遠低于行業同類產品，展現出出色的導電性能。

動態特性測試更是亮點紛呈。由于泰克科技目前的GaN測試電路最大測試電壓為1000V，為確保測試安全，雙方在900V電壓條件下對該器件進行了雙脈沖測試。測試條件為：Vds = 900V，Rgon = Rgoff = 2Ω，Vgson = 3V, Vgsoff = -8V, Id = 20A，負載電感L = 200uH。

測試波形清晰顯示，在900V高壓條件下，Vds波形在兩次導通階段內保持穩定低電壓，幾乎接近0V，充分證明了器件在高壓硬開關操作下未出現電流崩塌現象，其動態性能卓越，可靠性極高。

為進一步精準測量功率器件在開關過程中的動態導通電阻值，泰克科技運用鉗位探頭對器件進行深入測量。鉗位探頭可有效過濾信號高壓部分，以較小量程精準測量低壓部分，尤其適用于快速開關條件下，準確測量導通條件下的器件兩端電壓降。通過電壓鉗位探頭測量得到的鉗位電壓Vds-clamp，結合導通電流Id，依據歐姆定律計算得出動態導通電阻D-Rdson。

測試數據表明，在不同電壓條件下，器件的歸一化動態電阻隨測試電壓升高增加比例較小，300V、600V、900V時分別為1、1.07、1.18，彰顯了器件在高壓開關條件下穩定的工作狀態，其性能表現遠超預期。

此次測試結果充分展現了遠山半導體1700V GaN器件的卓越性能，其各項指標不僅刷新了市場對GaN器件的認知，更是快速逼近甚至在部分性能指標上超越了主流SiC功率器件。未來，隨著GaN器件在長期工作可靠性及成本優勢方面的進一步凸顯，有望在工業領域大放異彩，逐步實現對SiC功率器件的替代，開啟功率器件市場的新篇章。

泰克科技與遠山半導體的緊密合作，再次為半導體行業樹立了產學研用協同創新的典范。雙方將繼續攜手共進，不斷探索與突破，推動GaN器件技術的持續進步，為全球電子產業的高質量發展貢獻更多力量。