ADR433B 3 Vout 超低噪聲 XFET 電壓基準(zhǔn)的典型應(yīng)用，具有灌電流和拉電流能力

使用 Analog Devices 的 ADR433B 的參考設(shè)計(jì)

設(shè)計(jì)簡(jiǎn)介

具有灌電流和拉電流功能的 ADR433B 3 Vout 超低噪聲 XFET 電壓基準(zhǔn)的典型應(yīng)用。 ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR4351 系列是 XFET 電壓基準(zhǔn)系列，具有低噪聲、高精度和低溫漂性能

說明

Typical Application for ADR433B 3 Vout Ultra Low Noise XFET Voltage Reference with Current Sink and Source Capability. The ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR4351 series is a family of XFET voltage references featuring low noise, high accuracy, and low temperature drift performance

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ADR433BRZ	Voltage References	V-Ref Precision 3V 30mA 8-Pin SOIC N Tube	點(diǎn)擊下載
ADR433BRZ-REEL7	Voltage References	V-Ref Precision 3V 30mA 8-Pin SOIC N T/R	點(diǎn)擊下載

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更新時(shí)間2025-04-04 22:12:58

理解電壓基準(zhǔn)：簡(jiǎn)單灌電流
為此，我們已經(jīng)介紹了幾種外部運(yùn)算放大器架構(gòu)，用于實(shí)現(xiàn)單獨(dú)或網(wǎng)絡(luò)拉電流和灌電流。在本系列的最后一篇文章中，我們將討論利用電壓基準(zhǔn)內(nèi)部反饋的架構(gòu)。
DC-DC降壓芯片D2576用于直流充電樁，具備3A的輸出電流能力，輸入電壓6~40VDC
隨著新能源汽車的不斷普及，如何解決新能源車充電的問題也成為大熱話題，充電樁的數(shù)量與質(zhì)量也是目前急需提升的熱門方面，現(xiàn)階段人們需要的充電樁主要有交流充電樁和直流充電樁，直流充電樁因其節(jié)能效率高、功率因數(shù)高
具有低功耗待機(jī)能力的高電壓電流模式降壓型轉(zhuǎn)換器
在那些需要高輸入電壓和巨大負(fù)載電流的系統(tǒng)中，設(shè)計(jì)一個(gè)可在輕負(fù)載條件下具有高效率的電源尤其困難。
msp430單片機(jī)I/O口的灌電流和拉電流的問題
MSP430 IO口拉電流灌電流問題數(shù)字輸入/輸出端口有下列特性： □ 每個(gè)輸入/輸出位都可以獨(dú)立編程。 □ 允許任意組合輸入、輸出。
[隨記]MSP430 IO口拉電流與灌電流的問題
Rmin=V/Imax=3.3V/6mA=550歐姆，所以430單片機(jī)只要R大于550歐姆都是安全的 MSP430 IO口拉電流與灌電流的問題上拉電阻、下拉電阻 / 拉電流、灌電流 / 扇出系數(shù)(一)
具有段式 LCD 的多頻帶（169、433 和 868MHz）wM-Bus RF 子系統(tǒng)參考設(shè)計(jì)
它是一種功耗極低且支持 ETSI 1 類接收器的用于 wM-Bus 169MHz 和 433MHz 系統(tǒng)的射頻子系統(tǒng)，不含 SAW 濾波器和 TCXO。

Datasheet 更多

SHO-402
PIC18F27Q43-I/SS
TMC5160-TA-T
XC6202P622PH
020180MHARMM401ZA
2N5625
DR340-1-104
240-0323-37SCG6J7-18M1
SC108-470
DKA192-43TT

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