交錯連續導通模式 (CCM) 圖騰柱 (TTPL) 無橋功率因數校正 (PFC) 采用高帶隙 GaN 器件,由于具有電源效率高和尺寸減小的特點,因此是極具吸引力的電源拓撲。此設計說明了使用 C2000? MCU 和 LMG3410 GaN FET 模塊來控制此功率級的方法。為了提高效率,此設計采用了自適應死區時間和切相方法。非線性電壓補償器旨在減少瞬態期間的過沖和下沖。此設計選擇基于軟件鎖相環 (SPLL) 的方案來精確地驅動圖騰柱電橋。用于此設計的硬件和軟件可幫助您縮短產品上市時間。
解決方案框圖
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